- 传英伟达Rubin Ultra芯片改用8层HBM,以控制内存成本
- 三星将半数4纳米产能投入HBM4底层芯片生产
- 美光探索近GPU NAND与紧密耦合DRAM,填补HBM与SSD间隙
- Counterpoint发布2026年Q2全球DRAM与HBM市场份额报告
- 三星锁定七成存储产能至2031年,HBM5路线图同步曝光
- HBM现货价飙5倍! HBM4良率不佳、长约锁产掀供给荒
- 三星为英伟达定制8层HBM4E:NVHBM战略转向速度优先
- 美媒:中国长鑫存储已开始试产HBM3E,可能数周内大规模量产
- SK海力士美国先进封装厂动工,2029年下半年量产“美国制造”HBM4E
- HBM、企业级SSD缺到明年底