从选型到布局：MDDTVS二极管在ESD防护中的工程实战指南
在现代电子设计中，ESD（静电放电）防护已成为系统可靠性设计不可或缺的一环。作为一名FAE，我们在实际应用中发现，许多电子故障并不是源自设计原理错误，而是由于ESD防护不到位导致的隐患。MDDTVS（瞬态电压抑制）二极管作为最常用的ESD防护元件，从选型到布局，每一个细节都直接影响系统的抗干扰能力。
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MDDTVS管失效模式大起底：热击穿、漏电流升高与反向击穿...
在电子设计中，MDD-TVS管是保护电路免受瞬态电压冲击的重要器件。然而，TVS管本身在恶劣环境或选型、应用不当时，也可能出现失效问题。作为FAE，本文将系统梳理TVS管常见的三大失效模式——热击穿、漏电流升高与反向击穿，帮助大家深入理解失效机理，提升电路防护的可靠性。2025-04-28 阅读：391 -
关于MDD-TVS二极管工作原理全解析：如何在瞬间保护你的电路？
在电子系统中，瞬态电压冲击（如ESD、雷击、浪涌等）是导致电路损坏的常见原因之一。为了有效防护，MDD-TVS二极管成为工程师们的重要选择。2025-04-27 阅读：219 -
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MDDESD静电放电对电子元器件的影响：从损坏机制到防护策略
MDD静电放电（Electrostatic Discharge,ESD）是电子系统中极为常见又极易被忽视的威胁之一。特别是在半导体分立器件和IC封装日趋微型化、敏感度逐步提升的今天，MDDESD成为导致电子元件失效、系统异常甚至整机故障的“隐形杀手”。2025-04-21 阅读：621 -
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MDD超快恢复二极管在高频开关电源中的应用：如何提高转换效率？
在高频开关电源中，整流元件的性能直接影响能量转换效率。传统整流二极管由于较长的反向恢复时间（trr），在高频环境下会产生较大的开关损耗，降低整体效率。MDD超快恢复二极管以其短反向恢复时间、低反向电流、低开关损耗的特点，成为高频开关电源整流环节的理想选择。 -
MDD超快恢复二极管vs.普通整流二极管：核心参数对比与应用选择
在整流电路中，二极管的选择至关重要，直接影响电源系统的转换效率、开关损耗和可靠性。常见的MDD整流二极管包括普通整流二极管和超快恢复二极管。两者在恢复时间、正向压降、功率损耗等方面存在显著差异，适用于不同的应用场景。 -
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